[M 투데이 이상원기자] SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 신제품 HBM3E의 양산을 개시, 3월 말부터 공급을 시작한다.

이는 경쟁업체인 미국 마이크론과 삼성전자를 앞선 것이다.

SK하이닉스는 19일 발표한 자료를 통해 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다고 밝혔다.

SK하이닉스는 자사 제품이 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준으로, 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 설명했다.

AI 메모리는 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 매우 중요하다. SK하이닉스는 이를 위해 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용하고 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 방식의 공정이다.

앞서 마이크론은 지난달 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재할 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 발표한 바 있다.

하지만 실제 납품을 위한 대량 양산은 아직 이뤄지지 않고 있는 것으로 알려졌다. 고대역 메모리칩의 개발과 양산 속도 경쟁에서 SK하이닉스가 여전히 앞서도 있다.

SK하이닉스는 이번에 양산하는 HBM3E 제품의 대부분을 미국 엔비디아에 공급할 것으로 알려졌다.