[M 투데이 최태인 기자] ST마이크로일렉트로닉스가 삼성 파운드리와 20나노미터(nm·10억분의 1m) 미만 기반 첫 '마이크로컨트롤유닛(MCU)'을 선보인다.

지난 20일(현지시간) 업계에 따르면, ST마이크로일렉트로닉스는 '18나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI)' 공정 기반 MCU 'STM32'을 출시한다.

STM32는 20나노 미만의 공정을 활용해 제작된 첫 MCU다. 삼성 파운드리와 ST마이크로일렉트로닉스의 합작품이다.

삼성전자는 지난 2012년 ST마이크로일렉트로닉스와 32·28나노 파운드리에 협력했다. 2년 후 ST마이크로일렉트로닉스가 보유한 28나노 FD-SOI 공정 기술을 이전받았으며, 10년 이상 지속된 파트너십을 토대로 18나노 칩 개발에 성공했다.

STM32는 임베디드 상변화메모리(ePCM)를 내장해 성능이 크게 향상됐다. 40나노의 내장형 비휘발성 메모리(eNVM)와 비교해 전력 소비량 대비 성능비(PPR)는 50% 이상 높다. 2.5배 더 큰 비휘발성 메모리(NVM) 밀도를 자랑한다.

디지털 덴시티(Digital density)도 3배 커져 인공지능(AI)·그래픽 가속기 등 여러 주변 장치들과 원활한 통합이 가능하다. 잡음 지수는 3데시벨(3dB) 개선돼 RF 성능이 강화됐다.

ST마이크로일렉트로닉스는 올해 하반기 고객사에 샘플 제품을 제공한다. 내년 하반기부터 생산에 돌입해 차량용 반도체 시장을 공략할 계획이다.

삼성전자는 ST마이크로일렉트로닉스와 공고한 협력을 발판 삼아 FD-SOI 고객사를 확대한다. FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 얇은 절연막을 씌우고 그 위에 평면형 트랜지스터 전극을 구성하는 기술이다. 기존 상보형금속산화물반도체(CMOS) 대비 누설 전류를 줄여 속도와 소비전력을 개선한다.

공정이 약 15% 감소해 원가 절감에도 용이하다. 삼성전자는 ST마이크로일렉트로닉스에서 도입한 28나노 FD-SOI를 통해 네덜란드 NXP의 I.MX7를 양산한 바 있다.

ST마이크로일렉트로닉스도 삼성의 파운드리 기술력을 발판 삼아 MCU 시장에서 입지를 다진다.

ST마이크로일렉트로닉스는 MCU 시장을 공략하고자 제품 라인업을 강화하고 있다. 최근 신제품 발표회를 통해 STM32U0, STM32H7R, STM32WBA55 등을 공개했다. 이탈리아와 프랑스를 중심으로 투자를 추진하며 내년까지 생산량도 두 배 늘린다.